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Para o projeto de um '''amplificador emissor comum''' deve-se escolher um '''ponto de operação''' (Ic e Vce) dentro da '''região linear'''. Este ponto de operação é chamado '''ponto quiescente'''. Para tal, deve-se examinar o '''manual do transistor''' (''Datasheet''), verificar o valor do '''ganho Β''' e escolher valores de '''Ic''' e '''Vce''' dentro da '''região linear'''. | Para o projeto de um '''amplificador emissor comum''' deve-se escolher um '''ponto de operação''' ('''Ic''' e '''Vce''') dentro da '''região linear'''. Este ponto de operação é chamado '''ponto quiescente'''. Para tal, deve-se examinar o '''manual do transistor''' (''Datasheet''), verificar o valor do '''ganho Β''' e escolher valores de '''Ic''' e '''Vce''' dentro da '''região linear'''. | ||
Também deve-se procurar manter a tensão '''Vce''' em torno de '''50%''' do valor de '''Vcc''', a fim de obter o máximo possível de variação do '''sinal CA''' a ser amplificado. | Também deve-se procurar manter a tensão '''Vce''' em torno de '''50%''' do valor de '''Vcc''', a fim de obter o máximo possível de variação do '''sinal CA''' a ser amplificado. Já tesão sobre o resistor do emissor '''Re''' deve ser mínima, entre 5% a 10% de Vcc. | ||
==Referências== | ==Referências== |
Edição das 18h44min de 9 de julho de 2020
Transistores
Referência: [1]
Transistores são dispositivos semicondutores utilizados como amplificadores ou como interruptores de sinais elétricos.
Existem duas categorias de transistores, os transistores de junção bipolar (BJT) e os transistores de efeito de campo (FET). Neste material analisaremos os transistores de junção bipolar, que são formados por junções pn de material semicondutores e podem ser fabricados em duas categorias de junções, tipo PNP ou NPN.
Quando configurado, através de um circuito de polarização, para operar na chamada região linear ou região ativa, o transistor opera como um amplificador de sinal.
Quando configurado para operar nas chamadas região de corte e região de saturação, o transistor opera como uma chave ou interruptor.
Terminais, tensões e correntes num transistor NPN
Um transistor possui três terminais: Coletor (C), Base (B) e Emissor (E).
Um transistor NPN recebe tensão positiva no terminal do coletor. Essa tensão positiva para o coletor permite que a corrente flua do coletor para o emissor, desde que haja uma corrente de base suficiente para ativar o transistor.
Alguns parâmetros importantes para a análise de circuitos com transistor:
- Vb: Tensão no resistor da base;
- Ib: Corrente na base;
- Vbe: Tensão base-emissor;
- Vce: Tensão coletor-emissor;
- Ic: Corrente sobre o resistor do coletor;
- Vc: Tensão para carga;
- Vcc: Tensão de alimentação do circuito.
- Funcionamento
- Uma pequena corrente injetada na base do transistor, Ib, proporcionalmente controla uma corrente muito maior fluindo através do coletor, Ic. A proporcionalidade constante é definida como ganho, Β, tal que Ic = Β Ib.
- Pela Lei de Kirchhoff a corrente no emissor, Ie = Ib + Ic, ou Ie = (1/Β)Ic + Ic. Fatorando obtém-se Ie = Ic(1 + 1/Β). Como o ganho geralmente é 100 ou mais, (1 + 1/Β) é aproximadamente 1. Portanto, pode-se considerar Ie ≈ Ic.
- Quando operando na região ativa, a tensão Vbe ≈ 0,7 V. Esta tensão corresponde a junção pn entre a base e o emissor polarizada diretamente (similar a tensão na junção de um diodo polarizado diretamente).
Transistor como chave (ou interruptor)
Nesta configuração o transistor opera na região do corte (chave aberta) ou na região de saturação (chave fechada).
Vb < 0,5V Ib = 0 ; Ic = 0 ; Vc = Vce = Vcc
Vb >> 0,7V Vc = Vce = 0 ; Ic = Vcc/Rc
- Saturação forçada
- Garante o comportamento de chave fechada.
Icsat = (Vcc - Vcesat)/Rc ; Vcesat ≈ 0 -> Icsat = Vcc/Rc Ibsat = Icsat/Β
- Forçar:
Ib = 2 a 10 . Ibsat
- Exemplo
- Vb = 5V ; Vcc = 10V ; Rc = 1kΩ ; Β = 50-150 ; Rb ?
Saturação forçada:
Icsat = Vcc/Rc = 10/1k = 10mA Ibsat = Icsat/Βmin = 10m/50 = 0,2mA Ib = 10 . 0,2m = 2mA Ib = (Vb - Vbe)/Rb = (Vb - 0,7)/Rb = 0,2mA Rb = (5 - 0,7)/0,2m = 2,15kΩ -> Rb = 2,2kΩ (Valor Comercial)
- Exemplo de uso
- Acionamento de vários leds com uma única saída do Arduíno no projeto de Automação de Semáforo com Arduíno.
Transistor como Amplificador
- Região Ativa
- Comportamento de amplificador.
Vb > 0,7V Ib = (Vb - Vbe)/Rb ; Vbe = 0,7V Ib = (Vb - 0,7)/Rb Ic = Β.Ib Vc = Vcc - Rc.Ic
Amplificador a Transistor Emissor-Comum
Análise CC
Para a análise em corrente contínua do circuito de polarização do transistor os capacitores são considerados um circuito aberto, portanto, podem serem retirados do circuito.
- Cálculo de Vb
- A tensão Vb pode ser calculada pelo divisor de tensão entre Rb1 e Rb2:
Vb = Rb2 / (Rb1 + Rb2) Vcc
- Cálculo de Ib
- A corrente Ie ≈ ΒIb. A tensão sobre Ie é igual a Vb - Vbe, ou Vb - 0,7:, logo:
Ie = (Vb - 0,7) / Re
- e
Ib = (Vb - 0,7) / ΒRe
- Cálculo de Ic
- O cálculo de Ic é função do ganho Β do transistor:
Ic = ΒIb
- Cálculo de Vce
- Pode ser calculada analisando as tensões na malha sobre Rc e Re, e considerando Ie ≈ Ic:
Vcc = Rc Ic + Vce + Re Ic
Vce = Vcc - (Rc + Re) Ic
Projeto de um amplificador emissor comum
Para o projeto de um amplificador emissor comum deve-se escolher um ponto de operação (Ic e Vce) dentro da região linear. Este ponto de operação é chamado ponto quiescente. Para tal, deve-se examinar o manual do transistor (Datasheet), verificar o valor do ganho Β e escolher valores de Ic e Vce dentro da região linear.
Também deve-se procurar manter a tensão Vce em torno de 50% do valor de Vcc, a fim de obter o máximo possível de variação do sinal CA a ser amplificado. Já tesão sobre o resistor do emissor Re deve ser mínima, entre 5% a 10% de Vcc.
Referências
- ↑ SEDRA /SMITH. Microeletrônica, Vol.1, Makron Books, 1995.
--Evandro.cantu (discussão) 10h28min de 12 de junho de 2014 (BRT)