Laboratorio M1K Analog Devices: Transistores: mudanças entre as edições

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*Modulo '''Analog Devices M1K''' e software '''Pixelpulse'''
*Modulo '''Analog Devices M1K''' e software '''Pixelpulse'''
*Componentes Eletrônicos:
*Componentes Eletrônicos:
**Resistor:  200 KΩ  
**Resistores:  200 KΩ  
**Transistor NPN 2N3904
**Transistor NPN 2N3904


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#A '''corrente Ib''' pode ser determinada a partir da voltagem sobre Rb, que é 2,5 V menos a tensão Vbe, ou seja aproximadamente 1,8 V. Aplicando a Lei de Ohm, obtemos Ib  ≈ (1,8 V)/(200 KΩ) ≈ 9 μA.
#A '''corrente Ib''' pode ser determinada a partir da voltagem sobre Rb, que é 2,5 V menos a tensão Vbe, ou seja aproximadamente 1,8 V. Aplicando a Lei de Ohm, obtemos Ib  ≈ (1,8 V)/(200 KΩ) ≈ 9 μA.
#Calcule o '''ganho''' do transistor '''Β = Ic / Ib'''.
#Calcule o '''ganho''' do transistor '''Β = Ic / Ib'''.
#Acrescente outro resistor de 200 KΩ em paralelo ao resistor de '''Rb''' e refaça as observações. Como ficou a corrente '''Ic''' na região ativa?
#Acrescente mais um resistor de 200 KΩ em paralelo ao resistor de '''Rb''' e refaça as observações.


;Análise dos dados:
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[[Arquivo:AnaliseTransistorNPN.png.png|800px]]
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*Ic = 4 mA na região ativa.
 
Considerando Rb =  200 KΩ:
*Ic = 4 mA na região ativa
*Vbe = 0,7 V na região ativa
*Vbe = 0,7 V na região ativa
*Ib  ≈ 9 μA
*Ib  ≈ 9 μA
*Β = Ic / Ib = 444
*Β = Ic / Ib = 444
Considerando Rb =  100 KΩ (dois resistores de 200 KΩ em paralelo):
*Ic = 8 mA na região ativa
*Vbe = 0,71 V na região ativa


==Fundamentos sobre Transistores==
==Fundamentos sobre Transistores==

Edição das 17h10min de 7 de julho de 2020

Laboratório: Introdução aos Transistores

Este laboratório foi baseado no material disponibilizado pela Analog Devices, fabricante do módulo educacional M1K Analog Devices: [1]

Objetivos

Conhecer o princípio de funcionamento de um transistor de junção bipolar, observando a corrente do coletor (Ic) versus a tensão do coletor ao emissor (Vce), para diferentes valores da corrente de base (Ib). Calcular o ganho (Β) aproximado do transistor para os valores observados.

Equipamento e Materiais

  • Modulo Analog Devices M1K e software Pixelpulse
  • Componentes Eletrônicos:
    • Resistores: 200 KΩ
    • Transistor NPN 2N3904

Procedimentos Práticos

  1. Usando a matriz de contatos e fios, monte o circuito com o transistor 2N3904, como ilustrado na figura: [1]
  2. Selecione o canal A para gerar uma onda triangular variando entre 0 V e 5.0 V e frequência de 20 Hz.
  3. Habilite X-Y plots.
  4. Ajuste a escala do eixo Y do gráfico X-Y para medir corrente na faixa de 0.000 A até 0.009 A (9 mA), usando o botão direito do mouse.
  5. Ajuste a escala da forma de onda da voltagem em torno de 0,7 V, de forma que pequenas variações possam ser observadas com boa resolução no canal B.
  6. Observe a característica Ic versus Vce do transistor com um resistor de 200 KΩ na base do circuito.
  7. Observe a corrente Ic ao longo do tempo no canal A e note as amplas regiões onde a corrente é relativamente constante com a variação de Vce, quando o transistor está operando na região ativa, e os mergulhos quando o transistor está operando na região de saturação.
  8. Meça a corrente na região onde ela permanece constante.
  9. Observe que a tensão base-emissor, Vbe, é aproximadamente 0,7 V na região ativa e mergulha quando o transistor está operando na região de saturação.
  10. A corrente Ib pode ser determinada a partir da voltagem sobre Rb, que é 2,5 V menos a tensão Vbe, ou seja aproximadamente 1,8 V. Aplicando a Lei de Ohm, obtemos Ib ≈ (1,8 V)/(200 KΩ) ≈ 9 μA.
  11. Calcule o ganho do transistor Β = Ic / Ib.
  12. Acrescente outro resistor de 200 KΩ em paralelo ao resistor de Rb e refaça as observações. Como ficou a corrente Ic na região ativa?
  13. Acrescente mais um resistor de 200 KΩ em paralelo ao resistor de Rb e refaça as observações.
Análise dos dados

Considerando Rb = 200 KΩ:

  • Ic = 4 mA na região ativa
  • Vbe = 0,7 V na região ativa
  • Ib ≈ 9 μA
  • Β = Ic / Ib = 444

Considerando Rb = 100 KΩ (dois resistores de 200 KΩ em paralelo):

  • Ic = 8 mA na região ativa
  • Vbe = 0,71 V na região ativa

Fundamentos sobre Transistores

Observações e Conclusões

Referências


Evandro.cantu (discussão) 09h49min de 7 de julho de 2020 (-03)