Laboratorio M1K Analog Devices: Transistores: mudanças entre as edições
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#A '''corrente Ib''' pode ser determinada a partir da voltagem sobre Rb, que é 2,5 V menos a tensão Vbe, ou seja aproximadamente 1,8 V. Aplicando a Lei de Ohm, obtemos Ib ≈ (1,8 V)/(200 KΩ) ≈ 9 μA. | #A '''corrente Ib''' pode ser determinada a partir da voltagem sobre Rb, que é 2,5 V menos a tensão Vbe, ou seja aproximadamente 1,8 V. Aplicando a Lei de Ohm, obtemos Ib ≈ (1,8 V)/(200 KΩ) ≈ 9 μA. | ||
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==Fundamentos sobre Transistores== | ==Fundamentos sobre Transistores== | ||
Edição das 16h07min de 7 de julho de 2020
Laboratório: Introdução aos Transistores
Este laboratório foi baseado no material disponibilizado pela Analog Devices, fabricante do módulo educacional M1K Analog Devices: [1]
Objetivos
Conhecer o princípio de funcionamento de um transistor de junção bipolar, observando a corrente do coletor (Ic) versus a tensão do coletor ao emissor (Vce), para diferentes valores da corrente de base (Ib). Calcular o ganho (Β) aproximado do transistor para os valores observados.
Equipamento e Materiais
- Modulo Analog Devices M1K e software Pixelpulse
- Componentes Eletrônicos:
- Resistor: 200 KΩ
- Transistor NPN 2N3904
Procedimentos Práticos
- Usando a matriz de contatos e fios, monte o circuito com o transistor 2N3904, como ilustrado na figura:
[1] - Selecione o canal A para gerar uma onda triangular variando entre 0 V e 5.0 V e frequência de 20 Hz.
- Habilite X-Y plots.
- Ajuste a escala do eixo Y do gráfico X-Y para medir corrente na faixa de 0.000 A até 0.009 A (9 mA), usando o botão direito do mouse.
- Ajuste a escala da forma de onda da voltagem em torno de 0,7 V, de forma que pequenas variações possam ser observadas com boa resolução no canal B.
- Observe a característica Ic versus Vce do transistor com um resistor de 200 KΩ na base do circuito.
- Observe a corrente Ic ao longo do tempo no canal A e note as amplas regiões onde a corrente é relativamente constante com a variação de Vce, quando o transistor está operando na região ativa, e os mergulhos quando o transistor está operando na região de saturação.
- Meça a corrente na região onde ela permanece constante.
- Observe que a tensão base-emissor, Vbe, é aproximadamente 0,7 V na região ativa e mergulha quando o transistor está operando na região de saturação.
- A corrente Ib pode ser determinada a partir da voltagem sobre Rb, que é 2,5 V menos a tensão Vbe, ou seja aproximadamente 1,8 V. Aplicando a Lei de Ohm, obtemos Ib ≈ (1,8 V)/(200 KΩ) ≈ 9 μA.
- Calcule o ganho do transistor Β = Ic / Ib.
- Análise dos dados
- Ic = 4 mA na região ativa.
- Vbe = 0,7 V na região ativa
- Ib ≈ 9 μA
- Β = Ic / Ib = 444
Fundamentos sobre Transistores
Observações e Conclusões
Referências
Evandro.cantu (discussão) 09h49min de 7 de julho de 2020 (-03)
